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    在晶体管、集成电路生产中,纯水主要用于清洗硅片,另有少量用于药液配制,硅片氧化的水汽源,部分设备的冷却水,配制电镀液等。集成电路生产过程中的80%的工序需要使用高纯水清洗硅片,水质的好坏与集成电路的产品质量及生产成品率关系很大。

    水中的碱金属(KNa等)会使绝缘膜耐压不良,重金属(AuAgCu等)会使PN结耐压降低,Ⅲ族元素(BAlGa等)会使N型半导体特性恶化,Ⅴ族元素(PAsSb等)会使P型半导体特性恶化,水中细菌高温碳化后的磷(约占灰分的20-50%)会使P型硅片上的局部区域变为N型硅而导致器件性能变坏,水中的颗粒(包括细菌)如吸附在硅片表面,就会引起电路短路或特性变差。

     集成电路(DRAM)集成度16K的要求是电阻率16兆欧以上,集成电路(DRAM)集成度64K的要求是电阻率16兆欧以上,集成电路(DRAM)集成度256K的要求是电阻率≥17 MΩ•cm,集成电路(DRAM)集成度1M的要求电阻率≥18MΩ•cm,集成电路(DRAM)集成度4M的要求电阻率≥18MΩ•cm,集成电路(DRAM)集成度16M的要求电阻率≥18.2MΩ•cm.



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