硅是地球上储藏最丰富的材料之一，从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。

 硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。

 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅的制法通常是制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快 速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越 低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材， 外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。

 目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要 用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英 寸。外延片主要用于集成电路领域。

 由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。

 单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域，当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及99%以上的集成电路用硅。

 多晶硅是由许多硅原子及许多小的晶粒组合而成的硅晶体。由于各个晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深银灰色，不透明，具有金属光泽， 性脆，常温下不活泼。多晶硅是用金属硅（工业硅）经化学反应、提纯,再还原得到的高纯度材料（也叫还原硅）。目前世界上多晶硅生产的方法主要有改良西门子 法（SiHCl3）、新硅烷法（SiH4）、SiH2Cl2热分解法、SiCl4法等多晶硅生产工艺。当前全球多晶硅的市场状况是：从国际上来看，早几年 多晶硅还处于供过于求的局面，2004年开始，由于太阳能产业的发展，太阳能用多晶硅供不应求，导致全球多晶硅供应紧张。在国内，我国多晶硅生产长期不能 满足国内市场需要，严重依赖于进口。

 太阳能电池片,中文名称:太阳能电池板 英文名称:solar cell panel 定义:由若干个太阳能电池组件按一定方式组装在一块板上的组装件.太阳能电池板 Solar panel,分类：晶体硅电池板：多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池。非晶硅电池板：薄膜太阳能电池、有机太阳能电池。太阳能电池板：太阳能电池板是太 阳能发电系统中的核心部分，也是太阳能发电系统中价值最高的部分。其作用是将太阳能转化为电能，或送往蓄电池中存储起来，或推动负载工作。太阳能电池板的 质量和成本将直接决定整个系统的质量和成本。

多晶硅片,半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态， 有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属 金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠 等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。所以清洗多晶硅、半导体、太阳能光伏电池板必须用超纯水，目前制取超纯水工艺可分为反渗透+混床超纯水设备，二是反渗透+EDI超纯水设备，这是两种制取超纯水设备常用的工艺。 

 多晶硅片,半导体器件，太阳能光伏行业硅片清洗水质要求非常高，电阻率达18兆以上，目前首选工艺是全膜法制取超纯水，全膜法超纯水设备是指采用盘滤+UF+RO+EDI+SMB组成的工艺设备，即预处理采用盘滤过滤器+超滤工艺，除盐采用二级反渗透＋EDI工艺使产水电阻率达到15MΩ.cm以 上，终端供水采用变频供水泵＋二级精精混床＋终端超滤膜使产水电阻率达到18.2MΩ.cm，经处理后的产水水质达到《电子级水 GB/T11446.1-1997 Ⅰ级》水质标准。

 绿健水处理生产的超纯水设备处理：按客户要求设计   出水指标：≥15-18.2MΩ．CM

产水用途：电子、单晶硅/多晶硅用工业超纯水、纯水、单晶硅多晶硅清洗超纯水、硅片硅材料清洗超纯水

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